J. Phys. Radium 21, 685-688 (1960)
DOI: 10.1051/jphysrad:019600021010068500
Étude en fonction de la température de la variation de sensibilité photoélectrique d'une cellule au sélénium soumiseà un champ magnétique
J. Vincent1 et Georges Blet21 Attachée de Recherches au C. N. R. S., Marseille
2 Maître de Recherches au C.N.R.S., Marseille
Abstract
The photoelectric sensitivity of a selenium photocell is decreased when a magnetic field is applied in a direction parallel to the barrier-layer. This decrease is dependent on the wavelength and a maximum is observed at about λ = 0.7 μ : the lower the temperature the smaller the decrease.
Résumé
La sensibilité photoélectrique d'une photopile au sélénium est diminuée par application d'un champ magnétique parallèle à la couche d'arrêt. Cette diminution dépend de la longueur d'onde et présente un maximum vers λ = 0,7 μ : elle est d'autant plus faible que la température est plus basse.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.
Key words
photovoltaic effects -- selenium