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Influence de la recombinaison en surface sur la loi de décroissance des porteurs minoritaires en excès dans un semiconducteur

Abstract
The author computes the total number of excess minority carriers, at time t, successively in both the following cases : first, optical excitation of a semi-infinite one dimensional crystal, secondly, optical excitation supposed uniform at initial time, of a finite-one-dimensional crystal. He studies also particular cases where the process is exponential.

Résumé
L'auteur calcule le nombre total de porteurs minoritaires en excès à l'instant t successivement dans les deux cas suivants : excitation optique d'un cristal unidimensionnel « semi infini » et excitation optique, supposée uniforme à l'instant initial, d'un cristal unidimensionnel de dimension finie. Il étudie aussi les cas particuliers où la loi de décroissance est exponentielle.