Numéro
J. Phys. Radium
Volume 4, Numéro 6, juin 1933
Page(s) 301 - 315
DOI https://doi.org/10.1051/jphysrad:0193300406030100
J. Phys. Radium 4, 301-315 (1933)
DOI: 10.1051/jphysrad:0193300406030100

Etude des propriétés électriques des couches minces de platine obtenues par pulvérisation cathodique dans des gaz simples

André Féry


Résumé
Contrairement à ce qui se passe lorsqu'on utilise l'air comme gaz de décharge les dépôts obtenus par pulvérisation cathodique dans des gaz simples ne sont pas nettement définis. Pendant leur formation, ces dépôts absorbent le gaz de décharge. A la température ordinaire, après leur formation, leur résistance électrique diminue et tend vers un palier. Lorsqu'on les chauffe et lorsqu'on stabilise la température à une valeur prise arbitrairement, leur résistance rediminue isothermiquement pour tendre vers une nouvelle valeur limite, fonction de la température de l'isotherme. Corrélativement, le gaz occlus se dégage et d'autant plus que cette température est élevée. A 500°, on n'a pas encore pu obtenir le platine ordinaire, et les couches ainsi obtenues sont crevées », « déchirées » par les dégagements du gaz absorbé.

PACS
8115C - Deposition by sputtering.

Key words
Cathode sputtering -- Electrical properties -- Thin film -- Platinum