Numéro |
J. Phys. Radium
Volume 11, Numéro 3, mars 1950
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Page(s) | 130 - 140 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:01950001103013001 |
DOI: 10.1051/jphysrad:01950001103013001
Bruit de fond de semi-conducteurs. II
H.F. MataréLaboratoire Cie F. et S. Westinghouse
Résumé
Comme base de calcul dans le cas dynamique, on établit une formule pour le facteur de bruit en considérant le semi-conducteur en totalité. La simplicité de ladite loi et la possibilité de représenter sur cette base le bruit plus élevé à des tensions de polarisation plus fortes permettent une extension de la théorie aux différents cas d'emplois des semi-conducteurs, entre autres comme organes de mélange de fréquences. On procède donc à un développement analytique du cas dynamique et au calcul du bruit effectif de la diode semi-conductrice en mélangeur. Des calculs analogues donnent le bruit effectif et la sensibilité (puissance de bruit divisée par la largeur de bande effective; rapport signal-bruit = I) de montages triodes semi-conductrices ou cristal à trois électrodes (transistrons).
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
8530 - Semiconductor devices.
Key words
circuit noise -- semiconductors