Observation des dislocations dans le silicium à l'aide des rayons X dans le cas de la transmission anormale

Abstract
The anomalous transmission of X-rays is used to make a photographic study of dislocations in nearly perfect single crystals of Si. A crystallographic study of the observed dislocations is given. The dislocations are observed as fine double streaks, black and white.

Résumé
On utilise la transmission anormale des rayons X pour faire une étude photographique des dislocations dans des cristaux parfaits de silicium. On donne une étude cristallographique des dislocations observées. Les dislocations se présentent sous la forme de fines traînées doubles, blanches et noires.