New method for the study, by high frequency spectroscopy, of defects in the structure of the semiconductor ZnO.
Nouvelle méthode d'étude, par spectroscopie hertzienne, des défauts de réseau du semi conducteur ZnO
et
J. Phys. Radium, 13 11 (1952) 589-590
DOI: 10.1051/jphysrad:019520013011058901