Issue
J. Phys. Radium
Volume 10, Number 4, avril 1939
Page(s) 195 - 199
DOI https://doi.org/10.1051/jphysrad:01939001004019500
J. Phys. Radium 10, 195-199 (1939)
DOI: 10.1051/jphysrad:01939001004019500

Etude des semi-conducteurs en régime variable (suite). II. Cas d'un courant alternatif. Conclusions

Georges Déchêne

Faculté des Sciences de Montpellier


Résumé
Dans un premier article, on a étudié le régime d'établissement d'un courant continu dans un semi-conducteur et on a expliqué les résultats en assimilant la surface de séparation d'un métal et d'un semi-conducteur à un condensateur shunté par une résistance de contact. Lorsqu'un semi-conducteur est soumis à une tension alternative, le courant, par suite de l'existence des capacités de contact, est en avance de phase d'un angle φ sur la tension. En déterminant expérimentalement l'angle φ (à l'aide d'un oscillographe cathodique), on a pu calculer les valeurs des capacités de contact ; les résultats concordent avec ceux obtenus en courant continu. La principale conclusion qui se dégage de ces déterminations est la suivante : la variation rapide du potentiel au contact métal, semi-conducteur s'étend dans la substance d'autant plus profondément que la résistivité est plus grande ; on en déduit que l'hypothèse, devenue classique, d'une couche isolante séparant les deux milieux (couche d'arrêt) ne peut interpréter convenablement les propriétés du contact.

PACS
72 - Electronic transport in condensed matter.

Key words
electrical conductivity