Numéro
J. Phys. Radium
Volume 18, Numéro 5, mai 1957
Page(s) 297 - 303
DOI https://doi.org/10.1051/jphysrad:01957001805029700
J. Phys. Radium 18, 297-303 (1957)
DOI: 10.1051/jphysrad:01957001805029700

Résistances et capacité internes d'une photopile au sélénium aux basses températures

G. Blet

Laboratoire de Photométrie du C. R. S. I. M.


Abstract
For second-order systems where time does not appear explicitly, the fourspace is split into a displacement subspace and a velocity subspace ; the two are related by a hypercone in a 1-1 transformation. In order to apply topological methods to the discussion of such systems, the velocity is considered as the sum of an entrainment velocity attached to the massless system, and of a relative velocity due to the mass. The singularities of the integral curves are discussed, as well as the shock forms appearing in certain particular cases.


Résumé
Nous avons étudié les variations des conductances directe et inverse d'une photopile au sélénium, en fonction de la différence de potentiel appliquée entre 0,001 et 5 volts, et de la température entre 66 °K et 300 °K. La variation est considérable et peut atteindre l'amplitude de 1 à 100 000. Les essais de vérification des lois théoriques relatives à la hauteur de la barrière de potentiel indiquent pour celle-ci la valeur un peu faible de 0,5 volt. Les vérifications sont qualitatives et ne deviennent quantitatives que pour des tensions appliquées très faibles et au voisinage de la température ambiante. L'étude de la capacité sera publiée prochainement, dans une seconde partie.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.

Key words
photoelectricity -- electric resistance -- selenium