Numéro
J. Phys. Radium
Volume 23, Numéro 1, janvier 1962
Page(s) 7 - 11
DOI https://doi.org/10.1051/jphysrad:019620023010700
J. Phys. Radium 23, 7-11 (1962)
DOI: 10.1051/jphysrad:019620023010700

Mobilité des électrons dans les champs électriques intenses

A.V.J. Martin et J. Le Mée

E. E. Dpt, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, U. S. A.


Abstract
As a continuation of the work carried out by A. V. J. Martin, and published in Journal de Physique and elsewhere [14, 20, 21, 22, 23, 24], on the constant mobility theory of tecnetron, the authors have tackled the problem in the case of non-constant mobility. Prior to this work, they have carried out a general survey of literature dealing with electron mobility in high electric field intensities. The results of this review are summarized in the present report. It is concluded that as a first approximation an E-1/2 law can be adopted for mobility beyond the critical field. The results published in the present report have been used in a study of the operation of the tecnetron in the hypercritical field region. A paper on this subject will be published shortly after this introductory report.


Résumé
Dans le cadre de la suite des travaux de A. V. J. Martin déjà publiés dans le Journal de Physique et ailleurs [14, 20, 21, 22, 23, 24] qui traitaient de la théorie du tecnetron pour le cas d'une mobilité essentiellement constante, les auteurs ont étudié le problème de la mobilité variable. Préalablement à cette étude, le présent travail résume les résultats trouvés dans la littérature publiée et concernant la mobilité des électrons pour des valeurs élevées du champ électrique. On conclut qu'en première approximation une loi en E-1/2 peut être adoptée pour la mobilité au-delà de la valeur critique du champ. , Les résultats obtenus dans le présent travail ont été mis à profit dans l'étude du fonctionnement du tecnetron en régime hypercritique, étude qui sera publiée à la suite de ce travail préliminaire d'introduction.

PACS
7220H - High-field and nonlinear effects.

Key words
electrical conductivity -- energy states -- electric field effects -- transistors