L'effet photoélectrique fondamental des semi-conducteurs et du Cs3Sb

Abstract
A theory of the fundamental photoelectric effect is proposed for both direct and indirect transitions from the valence band to the conduction band. Comparison and discussion of the numerous experimental results for Cs3Sb allows one to separate the fundamental photoelectric effect from secondary effects and to suggest new lines for other experimental research. The photoelectric émission depth becomes smaller near to the photoelectric threshold of the electron scattering by impurity centers.

Résumé
Une théorie de l'effet photoélectrique fondamental est proposée, pour le cas de transitions directes, verticales et pour Je cas de transitions indirectes entre la bande de valence et la bande de conduction. La confrontation et la discussion des résultats expérimentaux pour le Cs3Sb permet de détacher l'effet photoélectrique fondamental d'effets secondaires et de donner quelques orientations nouvelles pour d'autres recherches expérimentales. La profondeur d'émission des photoélectrons diminue quand on s'approche du seuil photoélectrique, ce qui est dû aux diffusions sur les centres d'impuretés.