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J. Phys. Radium
Volume 19, Numéro 12, décembre 1958
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| Page(s) | 930 - 938 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:019580019012093000 | |
J. Phys. Radium 19, 930-938 (1958)
DOI: 10.1051/jphysrad:019580019012093000
1 Laboratoire du Magnétisme et de Physique du Corps Solide C. N. R. S., Bellevue
2 Département « Physique, Chimie, Métallurgie » du Centre National d'Études des Télécommunications, Issy-les-Moulineaux
7320 - Electron states at surfaces and interfaces.
Key words
diffusion -- silicon -- elemental semiconductors
DOI: 10.1051/jphysrad:019580019012093000
Influence de l'état de surface sur la mesure de la longueur de diffusion sur le silicium
P. Gosar1 et H. Ménaché21 Laboratoire du Magnétisme et de Physique du Corps Solide C. N. R. S., Bellevue
2 Département « Physique, Chimie, Métallurgie » du Centre National d'Études des Télécommunications, Issy-les-Moulineaux
Abstract
The influence of different surface effects on the measurement of the diffusion length by the travelling light spot method (Valdes Method) on silicon is discussed. The theoretical and experimental investigation shows the importance of currents in the inversion layer of the surface for the interpretation of experimental results.
Résumé
On étudie l'influence de différents effets de surface sur la mesure de la longueur de diffusion par la méthode de la fente lumineuse (Méthode Valdès) sur le silicium. L'étude théorique et expérimentale montre l'importance que peuvent prendre les courants dans la couche d'inversion à la surface pour l'interprétation des résultats expérimentaux.
7320 - Electron states at surfaces and interfaces.
Key words
diffusion -- silicon -- elemental semiconductors