L'effet photovoltaique de surface dans le silicium et son application à la mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires

Abstract
An experimental verification of a relation predicted by theory was made on silicon samples : at each wavelength, the surface photovoltaic effect is proportional to KL/(1 + KL), where K is the corresponding absorption coefficient, and L the diffusion length of minority carriers in the sample. The relation being shown valid in a small wavelength range, values of the minority carrier lifetime could be determined, and these were in good agreement with the results given by the method of Valdes.

Résumé
On a vérifié expérimentalement sur des échantillons de silicium une relation prévue par l'étude théorique : pour chaque longueur d'onde l'effet photovoltaïque de surface est proportionnel à KL/(1 + KL), où K représente le coefficient d'absorption correspondant, et L la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans l'échantillon. La relation étant vérifiée dans un petit intervalle de longueur d'onde dans les conditions expérimentales utilisées, on a pu déterminer des valeurs de la durée de vie des porteurs minoritaires en accord satisfaisant avec les résultats de la méthode de Valdes.