Bruit de fond de semiconducteurs. I

Résumé
On peut démontrer que, partant d'une formule semi-empirique pour les caractéristiques statiques des diodes à cristal, il est facile d'établir une expression générale pour le carré de la tension de bruit d'une couche d'arrêt. La déduction est faite en considérant un circuit schématique substitutif statique pour le réseau des sources de bruit qui constituent le semi-conducteur. Le problème de la température de bruit de la couche limite est alors résolu à partir de mesures de comparaison entre la température de bruit d'une diode à cathode émissive et celle de la couche d'arrêt du semi-conducteur considéré. Une loi générale peut donc être établie pour les déviations statistiques des diodes à cristal qui permet une bonne représentation des valeurs mesurées pour de faibles tensions d'exploration (0 à 0,3V).