Étude en fonction de la température de la variation de sensibilité photoélectrique d'une cellule au sélénium soumiseà un champ magnétique

Abstract
The photoelectric sensitivity of a selenium photocell is decreased when a magnetic field is applied in a direction parallel to the barrier-layer. This decrease is dependent on the wavelength and a maximum is observed at about λ = 0.7 μ : the lower the temperature the smaller the decrease.

Résumé
La sensibilité photoélectrique d'une photopile au sélénium est diminuée par application d'un champ magnétique parallèle à la couche d'arrêt. Cette diminution dépend de la longueur d'onde et présente un maximum vers λ = 0,7 μ : elle est d'autant plus faible que la température est plus basse.