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J. Phys. Radium
Volume 23, Number 2, février 1962
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Page(s) | 105 - 112 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:01962002302010500 |
DOI: 10.1051/jphysrad:01962002302010500
Influence de la forme de la surface de Fermi sur la distribution électronique autour d'une impureté dissoute dans le cuivre
F. GautierService de Physique des Solides, Faculté des Sciences, Orsay (S.-et-O.)
Abstract
An impurity, dissolved in copper, induces a variation of electronic density at large distance. This variation, owing to the topology of the Fermi surface, is somewhat anisotropic. In particular. there are electron holes in the direction of the hollows in the Fermi surface ([111]) etc. In addition, in a determined direction, the density oscillations are no longer exactly periodical. The asymptotic values of these oscillations at à large distance from a strong localised perturbation (delta potential well) are investigated.
Résumé
Une impureté dissoute dans le. cuivre induit une variation de donsité électronique à grande distance ; celle-ci, par suite de la topologie de la surface de Fermi, est assez fortement anisotrope : en particulier, il y a des « trous » électroniques dans les directions des poches de la surface de Fermi ([111] etc...). De plus, dans une direction déterminée, les oscillations de densité ne sont plus rigoureusement périodiques. On étudie les valeurs asymptotiques de ces oscillations à grandes distances d'une perturbation très localisée (puits de potentiel delta).
71 - Electronic structure of bulk materials.
Key words
copper -- energy states -- crystal defects