| Numéro |
J. Phys. Radium
Volume 17, Numéro 4, avril 1956
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| Page(s) | 359 - 362 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:01956001704035900 | |
J. Phys. Radium 17, 359-362 (1956)
DOI: 10.1051/jphysrad:01956001704035900
Laboratoire de Physique de l'École Normale Supérieure, Paris
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
Key words
electrical conductivity -- low temperature phenomena -- photoconductivity -- semiconductor materials -- zinc compounds
DOI: 10.1051/jphysrad:01956001704035900
Étude de P2Zn3 cristallisé aux basses températures
J. LagrenaudieLaboratoire de Physique de l'École Normale Supérieure, Paris
Résumé
L'étude sur P2Zn3 cristallisé, à diverses températures, manifeste l'effet de pièges de divers niveaux ; l'intervention de ceux-ci permet de comprendre les effets photoélectriques et conduit à des rendements quantiques plausibles. Une comparaison est faite avec Te, où les pièges sont de faible importance. L'étude a comporté : photoconductivité (en continu et en alternatif), effet photomagnétique, courbes du type « glow curves » et étude du déclin du photocourant.
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
Key words
electrical conductivity -- low temperature phenomena -- photoconductivity -- semiconductor materials -- zinc compounds