Méthode de calcul des niveaux énergétiques associés aux pièges profonds d'un cristal semiconducteur

Abstract
For a calculation of the energy levels of deep lying traps in semiconductors, the effective mass approximation is not possible. However, if the effective masses for the valence and conduction bands and also the gap between these bands are known, it is possible to estimate the energy spectrum in these bands. (Method of interband connection.) These results can be used for the calculation of the energy levels of deep lying traps. The method is discussed and tested for a one dimension model.

Résumé
Pour le calcul des pieges profonds dans les semiconducteurs, l'approximation des masses effectives n'est pas valable. Toutefois si l'on connait les masses effectives pour les bandes de valence et de conduction, ainsi que la largeur de la bande interdite, on peut, par prolongement analytique, évaluer approximativement la répartition des niveaux dans ces bandes. (Méthode de raccordement interbande.) Ces resultats peuvent servir de base au calcul des niveaux énergétiques des pieges profonds. La méthode est discutée et testée par un modèle à une dimension.