Numéro |
J. Phys. Radium
Volume 19, Numéro 11, novembre 1958
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Page(s) | 837 - 839 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:019580019011083700 |
DOI: 10.1051/jphysrad:019580019011083700
Augmentation des signaux de résonance nucléaire par polarisation dynamique (1ere Partie)
Ionel SolomonCentre d'Études Nucléaires, C. E. A., Saclay, France
Abstract
We consider two systems of interacting spins I and S. Three cases have been studied experimentally : 1° Interaction between conduction electrons (system S) with nuclei (system I) in a semi-conductor (silicon). Saturation of the electronic line gives à large increase of the nuclear signal. 2° Interaction of protons in water with paramagnetic ions of a free radical having a hyperfine structure. The enhancement of the proton signal is large enough to obtain a Maser action. 3° Interaction of two systems of spins in a solid. Irradiation at the sum or difference of resonance frequencies give an enhancement of the signal of one of the spin systems.
Résumé
On considère deux systèmes de spins I et S en interaction. Trois cas ont été étudiés expérimentalement : 1° Interaction des électrons de conduction (système S) avec les noyaux (système I) d'un semiconducteur (silicium). La saturation de la raie électronique augmente considérablement le signal nucléaire. 2° Interaction des protons de l'eau avec les ions paramagnétiques d'un radical libre doué de structure hyperfine. L'augmentation du signal des protons à bas champ est telle qu'elle a permis le fonctionnement en auto-oscillateur. 3° Interaction de deux systèmes de spins dans un solide. L'irradiation à la somme ou à la différence des fréquences de résonance permet une augmentation du signal de résonance d'un des systèmes de spins.
7660 - Nuclear magnetic resonance and relaxation.
Key words
nuclear magnetic resonance and relaxation -- paramagnetic resonance and relaxation -- silicon -- elemental semiconductors