Influence de la pression sur quelques propriétés des semiconducteurs

Abstract
We summarize the principal work relative to the pressure dependence of some properties of certain semiconductors such as the electrical conductivity, the resistivity of the p-n junction and the absorption edge of the fundamental band. This influence is indicted by the variation of the width of the energy gap sometimes accompanied by the change of the mobilities of electrons and holes.

Résumé
Nous résumons les principaux travaux relatifs à l'influence de pressions élevées sur quelques propriétés de certains semiconducteurs telles que la conductibilité électrique, la résistance de la jonction p-n et le bord d'absorption de la bande fondamentale. Cette influence se traduit par une variation de la largeur de la bande interdite, parfois accompagnée du changement des mobilités des électrons et des trous.