I. Effets magnétoélectriques et thermomagnétoélectriques dans les semi-conducteurs

Abstract
In this paper, the electrical conductivity of a crystal in the presence of a magnetic field is investigated, by the method of the average energy gain. It has been possible to express the current density in tensor from, as a function of the electric and magnetic fields, in the case of a single valley. Also, in the limit of low magnetic fields, the resistivity and thermoelectric power tensors have been obtained (the latter includes the thermoelectric power proper, the Nernst and thermomagnetoresistance effects). The results are applied to the particular models of germanium and silicon.

Résumé
On étudie la conductivité électrique d'un cristal en présence d'un champ magnétique. La méthode utilisée est celle du gain moyen d'énergie. Elle permet d'exprimer sous forme tensorielle le vecteur densité de courant en fonction du champ électrique et du champ magnétique dans le cas d'une vallée unique. Ce calcul permet ensuite d'obtenir, dans la limite des champs magnétiques faibles, les tenseurs de résistivité et de pouvoir thermoélectrique (ce dernier englobe le pouvoir thermoélectrique proprement dit, l'effet Nernst et la thermomagnétorésistance). Ces résultats sont utilisés dans les modèles particuliers généralement admis pour le germanium et le silicium.