L'étude des phénomènes de surface dans les semi-conducteurs par la technique de l'effet de champ

Abstract
A number of technical methods, among them the field effect, make the density of free carriers in the surface different from that in the volume, observing nevertheless the conditions of thermodynamic micro-equilibrium, this which gives valid the use of the theory of Shockley and Read recombination. From the measure of conductivity variations and photoconductivity decrease in relation to the field effect, it is possible to determine the density of centres of superficial recombination, their energy level and the capture probabilities of electrons or holes by these centres.

Résumé
Un certain nombre de techniques, dont l'effet de champ, permettent de rendre la densité des porteurs libres en surface différente de celle en volume, tout en respectant les conditions de micro-équilibre thermodynamique, ce qui rend valable l'utilisation de la théorie de la recombinaison de Shockley et Read. A partir de mesures de variation de conductivité et de décroissance de photoconductivité en fonction de l'effet de champ, il est possible de déterminer la densité des centres de recombinaison superficielle, leur niveau d'énergie et les probabilités de capture par ces centres d'un électron ou d'un trou.