Numéro |
J. Phys. Radium
Volume 13, Numéro 11, novembre 1952
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Page(s) | 554 - 557 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphysrad:019520013011055400 |
J. Phys. Radium 13, 554-557 (1952)
DOI: 10.1051/jphysrad:019520013011055400
Laboratoire de Physique de l'E. N. S.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.
Key words
boron -- photoconductivity -- semiconductors
DOI: 10.1051/jphysrad:019520013011055400
Propriétés électriques et optiques du bore
J. LagrenaudieLaboratoire de Physique de l'E. N. S.
Résumé
La conductibilité du bore à basse température dénote des énergies d'activation d'impureté de 0,06, 0,30, 0,40, 0,60 eV environ, les trois dernières selon la théorie de Wilson. La plus basse, attribuable à des impuretés de modèle hydrogénoïde, est en accord avec une constante diélectrique mesurée de 14. Le type est toujours p, mais la mobilité très faible. La photoconductivïté, en accord avec les mesures de Weintraub, fixe l'énergie intrinsèque à 1, 2 eV environ.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.
Key words
boron -- photoconductivity -- semiconductors