Numéro
J. Phys. Radium
Volume 13, Numéro 11, novembre 1952
Page(s) 554 - 557
DOI https://doi.org/10.1051/jphysrad:019520013011055400
J. Phys. Radium 13, 554-557 (1952)
DOI: 10.1051/jphysrad:019520013011055400

Propriétés électriques et optiques du bore

J. Lagrenaudie

Laboratoire de Physique de l'E. N. S.


Résumé
La conductibilité du bore à basse température dénote des énergies d'activation d'impureté de 0,06, 0,30, 0,40, 0,60 eV environ, les trois dernières selon la théorie de Wilson. La plus basse, attribuable à des impuretés de modèle hydrogénoïde, est en accord avec une constante diélectrique mesurée de 14. Le type est toujours p, mais la mobilité très faible. La photoconductivïté, en accord avec les mesures de Weintraub, fixe l'énergie intrinsèque à 1, 2 eV environ.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects.

Key words
boron -- photoconductivity -- semiconductors