Sur l'intensité de l'interaction orbitale dans les cristaux

Résumé
Dans l'hypothèse du réseau électronique orbital la liaison qui fixe un atome par rapport à ses voisins a été appelée contact orbital. Son intensité F intervient dans la loi T = F/N qui relie le nombre des contacts N au point de fusion T. L'étude systématique de cette intensité F de contact en fonction du nombre atomique Z, a montré qu'elle dépend dans chaque groupe autour d'un gaz rare d'un facteur d'origine et du nombre des électrons de spin non compensé. De groupe en groupe ce facteur d'origine est variable et augmente fortement pour les éléments légers. Ces facteurs d'origine déterminés par les éléments ont été trouvés identiques aux facteurs des ions dans les sels solides monoionisés. Les uns et les autres ne dépendent que du nombre quantique principal de l'étage périphérique. (Voir les lois numériques dans les conclusions.) La connaissance de ces lois permet de déterminer à priori l'intensité F d'un contact orbital pour n'importe quel élément ou ion. Il s'ensuit que la détermination du nombre des contacts peut se faire sans ambiguïté et par conséquent aussi celle de la valence réticulaire.