Etude des semi-conducteurs en régime variable (suite). II. Cas d'un courant alternatif. Conclusions

Résumé
Dans un premier article, on a étudié le régime d'établissement d'un courant continu dans un semi-conducteur et on a expliqué les résultats en assimilant la surface de séparation d'un métal et d'un semi-conducteur à un condensateur shunté par une résistance de contact. Lorsqu'un semi-conducteur est soumis à une tension alternative, le courant, par suite de l'existence des capacités de contact, est en avance de phase d'un angle φ sur la tension. En déterminant expérimentalement l'angle φ (à l'aide d'un oscillographe cathodique), on a pu calculer les valeurs des capacités de contact ; les résultats concordent avec ceux obtenus en courant continu. La principale conclusion qui se dégage de ces déterminations est la suivante : la variation rapide du potentiel au contact métal, semi-conducteur s'étend dans la substance d'autant plus profondément que la résistivité est plus grande ; on en déduit que l'hypothèse, devenue classique, d'une couche isolante séparant les deux milieux (couche d'arrêt) ne peut interpréter convenablement les propriétés du contact.